相较SiC涂层石墨，新一代的TaC涂层石墨的高温耐腐蚀性、服役时间以及抑制杂原子迁移能力明显提升，使用温度由900-1500℃扩展到最高2400℃，应用场景由半导体单晶的同质/异质外延扩展到半导体晶圆生长（籽晶托架、导流筒、石墨坩埚、导流环）等领域。涂层材料的变革对石墨基材的热膨胀系数、电学与化学稳定性、表面粗糙度、机械强度及热导率提出了更高要求。

在高均匀温度场中的处理温度超过2400℃，华锦新材碳化钽涂层石墨基材在电学与化学稳定性大幅度提高，材料均质性明显改善，最大密度差≤0.01g/cm³，电阻率≤10μΩm。

公司产品原料为超细颗粒，热处理过程中，颗粒通过熔并一体化烧结，实现高度致密化，且平均密度值达到1.92g/cm³，平均孔径≤0.4μm，开孔率≤12%，相比传统石墨，表面粗糙度与加工性能明显提升。公司产品制备工艺精确控制，微观结构致密均匀、内部缺陷明显降低，承受的极限外应力大幅度提高，使批量化产品的抗折强度≥80MPa，优级品抗折强度≥85MPa。

公司产品采用超长时间热处理工艺，晶体结构完善，La，Lc值优化，平均石墨化度≥80%，热导率≥145W/m*K。